Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode The IXTQ50N25T is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** IXYS  
- **Part Number:** IXTQ50N25T  
- **Device Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 250V  
- **Current Rating (I_D):** 50A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (typical)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IXTQ50N25T is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high-speed switching performance.  
- Suitable for high-efficiency power conversion, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High current handling capability (50A continuous).  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- Robust thermal performance with a power dissipation rating of 300W.  
- TO-247 package for enhanced heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode