PolarHVTM Power MOSFET The **IXTQ22N50P** is a power MOSFET manufactured by **IXYS**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** IXYS  
- **Part Number:** IXTQ22N50P  
- **Transistor Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 22A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 88A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The **IXTQ22N50P** is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and high switching speed, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is optimized for industrial, automotive, and renewable energy applications.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Performance**  
- **High Current Handling (22A continuous, 88A pulsed)**  
- **Low Gate Charge for Efficient Drive**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-247 Package for High Power Dissipation**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

PolarHVTM Power MOSFET