MegaMOSFET The IXTM21N50 is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 21A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 84A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.25Ω (typical) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The IXTM21N50 is a high-voltage N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for industrial, automotive, and power supply applications.

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low On-Resistance (0.25Ω typical)**  
- **Fast Switching Performance**  
- **High Current Handling (21A continuous, 84A pulsed)**  
- **Low Gate Charge for Reduced Drive Losses**  
- **Avalanche Energy Rated for Enhanced Reliability**  
- **TO-247 Package for Efficient Thermal Management**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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