MegaMOSFET The IXTH13N80 is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.75Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IXTH13N80 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency in power supplies, motor control, and industrial systems requiring robust performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage for demanding applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency operations.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged environments.  
- **TO-247 Package:** Provides excellent thermal performance.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to IXYS documentation.

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