P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated The IXTA76P10T is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are the factual specifications, descriptions, and features from the available knowledge base:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** IXYS  
- **Part Number:** IXTA76P10T  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** -100V  
- **Current Rating (ID):** -76A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 300W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.028Ω (typical)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** -4V (typical)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Package:** TO-247  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- High current handling capability.  
- Rugged and reliable construction for industrial applications.  
- Suitable for motor control, power supplies, and inverters.  
- TO-247 package provides efficient thermal performance.  

For detailed application notes or additional parameters, refer to the official IXYS datasheet.

P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated