High Voltage IGBT - Short Circuit SOA Capability The **IXSN55N120A** is a high-voltage N-Channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by **IXYS**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 55A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 35A  
- **Maximum Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical at I_C = 55A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 55ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 300ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-247  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Combines the advantages of MOSFETs and bipolar transistors for efficient switching and conduction.  
- Suitable for motor drives, inverters, UPS systems, and industrial power supplies.  

### **Features:**  
- **Low Switching Losses:** Optimized for high-frequency switching.  
- **High Voltage Capability:** 1200V breakdown voltage.  
- **Fast Switching Speed:** Enables efficient power conversion.  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Reduces reverse recovery losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 55A continuous current.  
- **Robust Thermal Performance:** TO-247 package for effective heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

High Voltage IGBT - Short Circuit SOA Capability