HiPerFAST IGBT with Fast Diode The **IXGT32N90B2D1** is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by **IXYS**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 900V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 32A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 20A  
- **Maximum Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.2V (typical) @ 32A  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 200ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-power switching applications** such as motor drives, inverters, and power supplies.  
- Features **low conduction and switching losses** for improved efficiency.  
- **Fast switching** capability for high-frequency applications.  
- **High voltage and current handling** for robust performance.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat)** for reduced power dissipation.  
- **High input impedance** due to MOSFET gate structure.  
- **High-speed switching** with optimized gate drive characteristics.  
- **Built-in fast recovery diode** for improved reliability in inductive load applications.  
- **Isolated mounting base** for simplified thermal management.  

This IGBT is suitable for industrial, automotive, and renewable energy applications requiring high efficiency and reliability.

HiPerFAST IGBT with Fast Diode