Preliminary Technical Information PolarTM IGBT for PDP Applications The part **IXGQ90N27PB** is manufactured by **IXYS**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 2700V  
- **Current Rating (I_D):** 90A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1500W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (typical)  
- **Package:** TO-264 (Modified)  

### **Description:**  
The **IXGQ90N27PB** is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for high-power switching applications. It is optimized for efficiency in demanding industrial, renewable energy, and power supply systems.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 2700V breakdown voltage  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **High Current Handling:** Supports up to 90A continuous drain current  
- **Robust Thermal Performance:** 1500W power dissipation capability  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications  
- **TO-264 Package:** Provides excellent thermal dissipation  

This information is based on IXYS datasheets and technical documentation. For detailed application notes, refer to the official manufacturer resources.

Preliminary Technical Information PolarTM IGBT for PDP Applications