Low VCE(sat) IGBT with Diode Combi Pack The IXGP12N60U1 is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 12A (continuous at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C case temperature)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 6A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage MOSFET:** Designed for high-voltage switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Provides efficient power handling with minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Capable of handling high-energy transients.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

Low VCE(sat) IGBT with Diode Combi Pack