HiPerFAST IGBT The IXGH24N60B is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 24A (continuous)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 96A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-to-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.25Ω (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The IXGH24N60B is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for inverters, motor drives, and power supplies.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (0.25Ω)**  
- **Fast Switching Performance**  
- **High Current Handling (24A continuous, 96A pulsed)**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Low Gate Charge**  
- **TO-247 Package (Industry Standard)**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

HiPerFAST IGBT