Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode Combi Packs The IXGH10N60AU1 is a power MOSFET manufactured by IXYS. Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 10A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage Capability:** Designed for high-voltage applications up to 600V.  
- **Low On-Resistance:** Provides efficient power handling with minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **Robust Construction:** TO-247 package ensures good thermal performance and mechanical strength.  
- **Applications:** Used in power supplies, inverters, motor control, and other high-voltage switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode Combi Packs