HiPerFET Power MOSFETs The IXFX34N80 is a high-voltage N-Channel MOSFET manufactured by IXYS. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 800V  
- **Current Rating (I_D):** 34A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (min)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IXFX34N80 is a high-voltage, high-current N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 800V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Power Dissipation:** Supports high-power applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust against transient voltage spikes.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet for the IXFX34N80 MOSFET.

HiPerFET Power MOSFETs