HiperFET Power MOSFETs The IXFX180N10 is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 1000V  
- **Current Rating (I_D):** 180A (continuous at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 720A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1250W (at 25°C case temperature)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (typical at V_GS = 15V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (typical)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V (max)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IXFX180N10 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for industrial, automotive, and power supply applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 1000V breakdown voltage  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications  
- **Robust Design:** High current and power dissipation ratings  
- **TO-264 Package:** Provides efficient thermal management  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

HiperFET Power MOSFETs