HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class The **IXFT12N100Q** is a power MOSFET manufactured by **IXYS**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** IXYS  
- **Part Number:** IXFT12N100Q  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 1000V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 100ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IXFT12N100Q is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is housed in a TO-264 package, providing good thermal performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 1000V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Power Dissipation:** Robust thermal performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged environments.  

These details are based solely on the manufacturer's specifications and datasheet.

HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class