HiPerFET Power MOSFETs The IXFK100N25 is a power MOSFET manufactured by IXYS. Here are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** IXYS  
- **Part Number:** IXFK100N25  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Power Dissipation (P_D):** 500W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.025Ω (typical) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-264 (similar to TO-3P)  

### **Descriptions & Features:**  
- High-current, high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance suitable for high-frequency applications.  
- Rugged and reliable construction for industrial and automotive applications.  
- Low gate charge for efficient drive requirements.  
- Avalanche energy rated for enhanced robustness in inductive load switching.  

For exact performance characteristics, refer to the official IXYS datasheet.

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