HiPerFET Power MOSFETs The IXFH76N07-11 is a power MOSFET manufactured by IXYS. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 76A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 304A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 11mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 700pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  

### **Description:**  
The IXFH76N07-11 is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Robust and reliable construction  
- Suitable for high-power applications  

This MOSFET is commonly used in industrial, automotive, and power management systems.  

(Note: Always refer to the official IXYS datasheet for the most accurate and detailed information.)

HiPerFET Power MOSFETs