HIPERFET Power MOSFTETs The IXFH50N20 is a power MOSFET manufactured by IXYS. Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 200V  
- **Current Rating (I_D):** 50A (continuous at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C case temperature)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Gate Charge (Q_g):** 100nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IXFH50N20 is an N-channel power MOSFET designed for high-power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching characteristics.  
- Suitable for use in power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **High current handling capability.**  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **TO-247 package** for efficient thermal management.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

HIPERFET Power MOSFTETs