HiPerFET Power MOSFETs The IXFH36N55Q2 is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are the factual specifications, descriptions, and features from the available knowledge base:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** IXYS  
- **Part Number:** IXFH36N55Q2  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 550V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 36A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 144A  
- **Power Dissipation (P_D):** 600W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (typical)  
- **Gate Charge (Q_g):** 140nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions and Features:**
- High voltage, high current power MOSFET designed for demanding applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for fast switching performance.  
- Robust and reliable for industrial, automotive, and power supply applications.  
- Suitable for high-frequency switching circuits.  
- TO-247 package provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

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