HiPerFET Power MOSFETs The IXFH32N50 is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 500V  
- **Current Rating (I_D):** 32A (continuous)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 128A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IXFH32N50 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation  
- **High Current Handling:** Supports up to 32A continuous current  
- **Robust Thermal Performance:** 300W power dissipation capability  
- **TO-247 Package:** Provides efficient heat dissipation  

This information is strictly factual and derived from the manufacturer's datasheet.