HiPerFET Power MOSFETs The IXFH26N50Q is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** IXYS  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 26A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 104A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 85nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IXFH26N50Q is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for high-power switching applications. It offers low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Performance**  
- **High Current Handling (26A Continuous, 104A Pulsed)**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Low Gate Charge for Efficient Drive**  
- **TO-247 Package for High Power Dissipation**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.