HIPERFET Power MOSFTETs The IXFH26N50 is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 26A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 104A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.26Ω (typical) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IXFH26N50 is a high-voltage N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency circuits  
- **Avalanche Energy Rated:** Improved ruggedness in inductive load conditions  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to IXYS documentation.