HIPERFET Power MOSFTETs The IXFH12N90 is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.9Ω (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Rise Time (t_r):** 35ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Description:**  
The IXFH12N90 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (900V)**  
- **Low On-Resistance (0.9Ω typical)**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Low Gate Charge**  
- **TO-247 Package**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.