HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class The IXFH12N100Q is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** IXYS  
- **Part Number:** IXFH12N100Q  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 1000V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The IXFH12N100Q is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.  

### **Features:**  
- High voltage capability (1000V)  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High ruggedness and reliability  
- Avalanche energy specified  
- TO-247 package for efficient thermal management  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.