IXFH10N100

HIPERFET Power MOSFTETs The **IXFH10N100** is a high-voltage N-Channel MOSFET manufactured by **IXYS**.  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 1000V  
- **Current Rating (I_D):** 10A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.3Ω (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 100ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IXFH10N100 is designed for high-voltage switching applications, offering low on-resistance and fast switching speeds. It is suitable for power supplies, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (1000V)**  
- **Low On-Resistance**  
- **Fast Switching Performance**  
- **High Power Dissipation**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **TO-247 Package**  

This MOSFET is optimized for efficiency and reliability in demanding power electronics applications.

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