Polar Power MOSFET HiPerFET The **IXFB170N30P** is a power MOSFET manufactured by **IXYS**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** IXYS  
- **Part Number:** IXFB170N30P  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 300V  
- **Current Rating (I_D):** 170A (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5 mΩ (typical)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 830W (at 25°C)  
- **Package:** TO-264 (similar to TO-247)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IXFB170N30P is a high-current, high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for low conduction losses and high efficiency in demanding power circuits.  
- Suitable for applications such as motor drives, inverters, and high-power DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 170A continuous current.  
- **Fast Switching:** Designed for efficient high-frequency operation.  
- **Robust Package:** TO-264 package ensures good thermal performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides reliability in rugged environments.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IXYS datasheet.