PolarHV HiPerFET Power MOSFET The IXFB100N50P is a power MOSFET manufactured by IXYS. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** IXYS  
- **Part Number:** IXFB100N50P  
- **Transistor Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Power Dissipation (P_D):** 830W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 10,000pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1,500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 90ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-264  

### **Description:**  
The IXFB100N50P is a high-voltage, high-current N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high switching speed, making it suitable for industrial, motor control, and power supply applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Rating:** 500V  
- **High Current Handling:** 100A continuous, 400A pulsed  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications  
- **Robust Thermal Performance:** TO-264 package for efficient heat dissipation  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced reliability under rugged conditions  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.