NPT3 IGBT with Diode The IXER35N120D1 is a power semiconductor device manufactured by IXYS. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** IXYS  
- **Part Number:** IXER35N120D1  
- **Device Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 35A  
- **Maximum Collector Current (I_CM):** 70A (pulsed)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low switching losses  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-247  

### **Descriptions:**  
- The IXER35N120D1 is a high-voltage IGBT designed for power switching applications.  
- It features low conduction and switching losses, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is optimized for motor drives, inverters, UPS systems, and industrial power supplies.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 1200V breakdown voltage for robust performance in high-power applications.  
- **Low Saturation Voltage:** Reduces conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching:** Minimizes switching losses in high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Supports continuous and pulsed current operations.  
- **Temperature Stability:** Operates reliably across a wide temperature range.  
- **Robust Packaging:** TO-247 package ensures good thermal dissipation and mechanical durability.  

This information is based solely on the available knowledge base for the IXER35N120D1 from IXYS.