NPT3 IGBT The **IXEH40N120D1** is a high-power IGBT module manufactured by **IXYS**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 40A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 25A  
- **Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical)  
- **Maximum Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Switching Speed:** Fast switching IGBT  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
- **Module Type:** Single IGBT with anti-parallel diode  

### **Descriptions:**
- The **IXEH40N120D1** is a **NPT (Non-Punch Through) IGBT** module designed for high-efficiency power switching applications.  
- It features **low conduction and switching losses**, making it suitable for inverters, motor drives, and power supplies.  
- The module includes an integrated **ultra-fast recovery diode** for freewheeling applications.  

### **Features:**
- **High voltage and current handling capability**  
- **Low saturation voltage** for reduced conduction losses  
- **Fast switching performance** for high-frequency applications  
- **High-temperature operation** up to 150°C  
- **Isolated baseplate** for simplified thermal management  
- **Robust construction** for industrial and automotive applications  

This information is based solely on the manufacturer's specifications and datasheet.