High Voltage IGBT with optional Diode The IXDH30N120D1 is a high-power IGBT module manufactured by IXYS. Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating:** 1200V  
- **Current Rating:** 60A (nominal), 120A (maximum)  
- **Power Dissipation:** 300W  
- **Switching Speed:** Fast switching IGBT with low conduction losses  
- **Package Type:** Module (isolated baseplate)  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** Typically 2.1V at 30A  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The IXDH30N120D1 is a high-performance IGBT module designed for high-power switching applications.  
- It features low switching losses and high efficiency, making it suitable for industrial inverters, motor drives, and power supplies.  
- The module includes an anti-parallel diode for freewheeling applications.  

### **Features:**
- **High Voltage & Current Capability:** Supports up to 1200V and 60A continuous current.  
- **Low Conduction Losses:** Optimized for efficiency in high-power applications.  
- **Fast Switching:** Enables high-frequency operation.  
- **Built-in Diode:** Integrated freewheeling diode for inductive load handling.  
- **Isolated Baseplate:** Provides electrical isolation for easier thermal management.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.