ISOSMART Half Bridge Driver Chipset The part **IXBD4411SI** is manufactured by **IXYS**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from the available knowledge base:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 100V  
- **Current Rating (ID):** 75A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.011Ω (typical)  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- **High-Performance Power MOSFET:** Designed for high-current, high-voltage applications.  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss and high efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for switching applications.  
- **Robust Construction:** Provides reliable performance in demanding environments.  

### **Features:**  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Rated:** Improves ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation. No additional suggestions or interpretations are included.