Quad 2-Input NAND Gate High-Voltage Silicon-Gate CMOS The part **IW4011BN** is manufactured by **Hynix**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Hynix  
- **Part Number:** IW4011BN  
- **Type:** DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 4Gb (Gigabit)  
- **Organization:** 512M x 8 (512 Megabits x 8 bits)  
- **Voltage:** 1.5V (DDR3 standard voltage)  
- **Speed:** DDR3-1600 (PC3-12800)  
- **Package:** FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 85°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  

### **Descriptions:**  
- The **IW4011BN** is a DDR3 SDRAM module designed for high-speed, low-power applications.  
- It is commonly used in computing, networking, and embedded systems.  
- The chip supports auto-refresh and self-refresh modes for power efficiency.  

### **Features:**  
- **High Performance:** DDR3-1600 speed with low latency.  
- **Low Power Consumption:** Operates at 1.5V, reducing energy usage.  
- **High Density:** 4Gb capacity for efficient memory utilization.  
- **FBGA Packaging:** Compact design for space-constrained applications.  
- **On-Die Termination (ODT):** Improves signal integrity.  
- **Burst Length:** Supports burst lengths of 8 for efficient data transfer.  

For exact datasheet details, refer to the official Hynix documentation.