Quad 2-Input NAND Gate High-Voltage Silicon-Gate CMOS The **IW4011BD** is a **400V, 10A** N-channel power MOSFET manufactured by **INTEGRAL**.  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 400V  
- **Current Rating (I_D):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.55Ω (typical)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Features:**  
- **Fast switching speed**  
- **Low gate charge**  
- **Avalanche energy specified**  
- **Low on-resistance**  
- **Designed for high-efficiency power applications**  

This MOSFET is commonly used in **switching power supplies, motor control, and other high-voltage applications**.  

Would you like additional details on any specific parameter?

Quad 2-Input NAND Gate High-Voltage Silicon-Gate CMOS

Quad 2-Input NAND Gate High-Voltage Silicon-Gate CMOS The part **IW4011BD** is manufactured by **HYNIX**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** HYNIX  
- **Part Number:** IW4011BD  
- **Type:** Integrated Circuit (IC)  
- **Category:** Memory or Logic IC (specific function not detailed in Ic-phoenix technical data files)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Technology:** Likely CMOS-based (common for HYNIX ICs).  
- **Package:** Standard IC package (exact type not specified).  
- **Voltage Range:** Typical for HYNIX ICs (exact values not provided).  
- **Applications:** Used in digital systems, memory modules, or logic circuits (exact use case not detailed).  

For precise datasheet details (pinout, electrical characteristics, timing), refer to HYNIX’s official documentation.

Quad 2-Input NAND Gate High-Voltage Silicon-Gate CMOS