8A, 600V Stealth Diode The ISL9R860S3S is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **FSC (Federal Supply Code) Specifications:**  
- Not explicitly listed in Ic-phoenix technical data files.  

### **Descriptions:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™ 5  
- **Package:** TO-220  
- **Application:** Designed for high-efficiency power conversion in automotive, industrial, and consumer applications.  

### **Features:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 60V  
- **Current Rating (ID):** 86A (continuous at 25°C)  
- **RDS(on):** 8.6mΩ (max at VGS = 10V)  
- **Low Gate Charge (Qg):** 45nC (typical)  
- **Fast Switching Performance:** Optimized for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust against inductive load switching  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

For exact FSC specifications, refer to official Infineon datasheets or procurement databases.