8A, 600V Stealth Diode The **ISL9R860P2** is a power MOSFET manufactured by **FSC (Fairchild Semiconductor)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** FSC (Fairchild Semiconductor)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 600V  
- **Current Rating (ID):** 8.6A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (PD):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.86Ω (max at VGS = 10V)  
- **Package:** TO-220F (Fully Insulated)  

### **Descriptions:**
- The ISL9R860P2 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low gate charge and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The fully insulated TO-220F package provides improved thermal performance and electrical isolation.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (RDS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **High Voltage Rating (600V)** for robust performance in power supplies and motor control.  
- **Fully Insulated Package (TO-220F)** for enhanced thermal management and safety.  
- **Low Gate Charge (Qg)** for reduced drive requirements.  

This MOSFET is commonly used in:  
- Switch-mode power supplies (SMPS)  
- Motor control circuits  
- Inverters and converters  
- Industrial and automotive applications  

For detailed datasheet information, refer to the official Fairchild Semiconductor documentation.