ISL9R460S3S

4A,600V Stealth Diode The ISL9R460S3S is a power MOSFET manufactured by **FAIRCHILD SEMICONDUCTOR** (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD SEMICONDUCTOR (ON Semiconductor)  
- **Part Number:** ISL9R460S3S  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 600V  
- **Current Rating (ID):** 9A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 190W  
- **RDS(ON) (Max):** 0.46Ω @ 10V, 5.4A  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 2.5V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1200pF (typical)  
- **Package:** TO-220F (Fully Insulated)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- Features low gate charge and low on-resistance for improved efficiency.  
- Suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low RDS(ON):** Enhances conduction efficiency.  
- **Fully Insulated Package (TO-220F):** Provides electrical isolation for heatsink mounting.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in high-energy environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed performance curves or application notes, refer to the official datasheet from ON Semiconductor.

4A,600V Stealth Diode