30A, 600V Stealth Diode The ISL9R3060P2 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Part Number:** ISL9R3060P2  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** SuperFET® II  
- **Voltage Rating (VDS):** 600V  
- **Current Rating (ID):** 9A (at 25°C)  
- **RDS(ON) (Max):** 0.6Ω (at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **Power Dissipation (PD):** 38W (at 25°C)  
- **Package:** TO-220F (Fully Insulated)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The ISL9R3060P2 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features Fairchild's SuperFET® II technology, which provides low on-resistance and high switching performance.  
- The fully insulated TO-220F package enhances thermal performance and safety in high-voltage applications.  

### **Features:**
- **Low RDS(ON):** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-efficiency power conversion.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Insulated Package:** Eliminates the need for an additional insulator in mounting.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.