30A, 600V Stealth Diode The **ISL9R3060G2** is a power MOSFET manufactured by **FAIRCHILD SEMICONDUCTOR** (now part of ON Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor)  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 600V  
- **Current Rating (ID):** 30A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (PD):** 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.19Ω (max at VGS = 10V)  
- **Package:** TO-247  
- **Technology:** SuperFET® II (Low Qg, Low RDS(on))  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- **SuperFET® II MOSFET** technology provides low conduction and switching losses.  
- **Fast switching speed** due to low gate charge (Qg) and low output capacitance (Coss).  
- **Avalanche energy rated** for rugged performance in inductive load applications.  
- **Lead-free and RoHS compliant.**  
- Suitable for **SMPS (Switched-Mode Power Supplies), motor drives, and inverters.**  

For detailed datasheet information, refer to the official documentation from ON Semiconductor (Fairchild legacy).

30A, 600V Stealth Diode