30A, 1200V Stealth Diode The ISL9R30120G2 is a power MOSFET manufactured by **FAIRCHILD**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD  
- **Part Number:** ISL9R30120G2  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Technology:** MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 1200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.3Ω (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 100ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The ISL9R30120G2 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.  

### **Features:**  
- **High Voltage Rating (1200V)**  
- **Low On-Resistance (0.3Ω)**  
- **Fast Switching Performance**  
- **High Current Capability (30A continuous, 120A pulsed)**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-247 Package for Enhanced Thermal Performance**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.