18A, 1200V Stealth Diode The **ISL9R18120G2** is a power MOSFET manufactured by **FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor)  
- **Part Number:** ISL9R18120G2  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 120V  
- **Current Rating (ID):** 18A (continuous)  
- **RDS(ON) (Max):** 0.180Ω (at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Technology:** SuperFET® II (Low Qg, Low RDS(ON))  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- **Low gate charge (Qg)** and **low on-resistance (RDS(ON))** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching performance** suitable for DC-DC converters, motor control, and power supplies.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **SuperFET® II technology** enhances thermal performance and efficiency.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

For exact application details, refer to the official datasheet from ON Semiconductor.

18A, 1200V Stealth Diode The **ISL9R18120G2** is a power MOSFET manufactured by **FAIRCHILD** (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD (ON Semiconductor)  
- **Part Number:** ISL9R18120G2  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 1200V  
- **Current Rating (ID):** 18A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.18Ω (typical)  
- **Package:** TO-247  
- **Technology:** Super Junction MOSFET  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-voltage, high-efficiency switching applications.  
- Suitable for power supplies, inverters, and motor control circuits.  
- Features low gate charge and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **Low RDS(on):** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Improves ruggedness in harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses.  
- **TO-247 Package:** Provides high power dissipation capability.  

This MOSFET is commonly used in industrial and automotive applications requiring high-voltage handling and efficient power conversion.  

(Note: Always verify datasheet details for exact specifications in your application.)