N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET?Trench Power MOSFETs The **ISL9N306AS3ST** is a power MOSFET manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD  
- **Part Number:** ISL9N306AS3ST  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.036Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (typical)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
The **ISL9N306AS3ST** is a **N-Channel MOSFET** designed for high-efficiency power switching applications. It offers **low on-resistance (R_DS(on))** and **fast switching performance**, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **High current capability** (9A continuous, 36A pulsed).  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-263 (D2PAK) package** for efficient thermal dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed application guidelines, refer to the official datasheet from **FAIRCHILD**.

N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET?Trench Power MOSFETs