N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET?Trench Power MOSFETs The ISL9N302AS3ST is a power MOSFET manufactured by FAIRCHILD. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD  
- **Part Number:** ISL9N302AS3ST  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **R_DS(ON) (Max):** 30mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
The ISL9N302AS3ST is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(ON) for reduced conduction losses  
- High current capability (9A continuous drain current)  
- Fast switching performance  
- Enhanced thermal characteristics  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET?Trench Power MOSFETs The ISL9N302AS3ST is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Part Number:** ISL9N302AS3ST  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 90A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 3.0 mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**
- The ISL9N302AS3ST is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in power circuits.  
- The TO-263 package provides efficient thermal dissipation.  

### **Features:**
- Low RDS(on) for reduced conduction losses.  
- High current capability (90A continuous).  
- Fast switching performance.  
- Robust and reliable for industrial and automotive applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This MOSFET is commonly used in DC-DC converters, motor control, and power supply applications.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for updated specifications.)