N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET?Trench Power MOSFETs The ISL9N302AP3 is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Here are the factual details about this part:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **FSC (Federal Supply Class) Specifications:**  
- **FSC Code:** 5961 (Semiconductor Devices and Associated Hardware)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 90A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **RDS(ON) (Max):** 2.3 mΩ (at VGS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (typical)  
- **Package:** TO-220 (Through-Hole)  
- **Applications:** Power switching, motor control, DC-DC converters, and other high-current applications.  

This MOSFET is designed for high-efficiency power management with low on-resistance and fast switching characteristics.  

(Note: Always verify datasheet specifications for exact performance parameters in your application.)

N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET?Trench Power MOSFETs The ISL9N302AP3 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Part Number:** ISL9N302AP3  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 300V  
- **Current Rating (ID):** 9A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 0.3Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Package:** TO-220F (Fully Insulated)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-voltage switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Fully insulated TO-220F package for improved thermal performance and safety.  
- Suitable for power supplies, motor control, and other high-voltage applications.  
- Avalanche energy specified for ruggedness in inductive load switching.  

This MOSFET is optimized for efficiency and reliability in power conversion systems.