30A, 600V Stealth Dual Diode The ISL9K3060G3 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Part Number:** ISL9K3060G3  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 600V  
- **Current Rating (ID):** 30A  
- **Power Dissipation (PD):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.19Ω (max)  
- **Package:** TO-247  
- **Technology:** SuperFET® II (Fast Switching, Low RDS(on))  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Utilizes Fairchild’s advanced SuperFET® II technology for reduced conduction and switching losses.  
- Low gate charge (Qg) and low output capacitance (Coss) for improved switching performance.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in harsh environments.  
- Suitable for applications such as power supplies, motor drives, and inverters.  

This information is based on Fairchild's official datasheet for the ISL9K3060G3. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the manufacturer’s documentation.