IS61NVP25672-200B1

256K x 72, 512K x 36 and 1M x 18 18Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM The IS61NVP25672-200B1 is a high-speed synchronous SRAM (Static Random Access Memory) manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Density:** 256K x 72 (18 Mbit)  
- **Organization:** 262,144 words x 72 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V (±10%)  
- **Speed:** 200 MHz (5 ns access time)  
- **Package:** 208-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **I/O Type:** HSTL (High-Speed Transceiver Logic) compatible  

### **Descriptions:**
- The IS61NVP25672-200B1 is a synchronous flow-through burst SRAM designed for high-performance networking, telecommunications, and computing applications.  
- It supports a common I/O architecture, allowing read and write operations on the same clock cycle.  
- The device features a pipelined output stage for improved performance in high-speed systems.  

### **Features:**
- **Flow-Through or Pipelined Operation:** Configurable for low latency or high bandwidth.  
- **Burst Mode Support:** Linear or interleaved burst sequences.  
- **HSTL-Compatible I/O:** Supports high-speed signaling.  
- **Single Clock (CLK) Operation:** Synchronous with rising-edge clocking.  
- **Byte Write Control:** Individual byte write enables for flexible data handling.  
- **JTAG Boundary Scan:** Supports IEEE 1149.1 for testability.  
- **Low Standby Power:** Auto power-down mode for reduced power consumption.  

For exact timing diagrams, electrical characteristics, and further details, refer to the official ISSI datasheet.

256K x 72, 512K x 36 and 1M x 18 18Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM