IS61LV25616-8T

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY The IS61LV25616-8T is a high-speed 256K x 16 (4M-bit) Static RAM (SRAM) manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 256K x 16 (4,194,304 bits)
- **Operating Voltage:** 3.3V (±10%)
- **Access Time:** 8 ns (max)
- **Operating Current:** 70 mA (typical)
- **Standby Current:** 5 mA (typical)
- **Package:** 44-pin TSOP Type II
- **Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) and Industrial (-40°C to +85°C) options
- **I/O Interface:** CMOS-compatible
- **Data Retention:** >20 years

### **Descriptions:**
- The IS61LV25616-8T is a low-power, high-performance asynchronous SRAM.
- It is designed for applications requiring fast access times and low power consumption.
- The device supports unlimited read and write cycles with no refresh requirements.
- It is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems.

### **Features:**
- **High-Speed Performance:** 8 ns access time.
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-operated and portable devices.
- **Asynchronous Operation:** No clock required for read/write operations.
- **Tri-State Outputs:** Allows bus sharing in multi-master systems.
- **Byte Control:** Supports individual byte write operations (UB#, LB# pins).
- **Fully Static Operation:** No refresh or clock needed.
- **TTL-Compatible Inputs and Outputs:** Ensures easy interfacing with other logic families.

This SRAM is ideal for applications requiring fast, non-volatile memory with low power consumption.

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY