IS61LV10248-10T

1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM The IS61LV10248-10T is a high-speed 1M x 18 Static RAM (SRAM) manufactured by Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Organization:** 1,048,576 words × 18 bits (1M x 18)  
- **Operating Voltage:** 3.3V (±10%)  
- **Access Time:** 10 ns  
- **Cycle Time:** 10 ns  
- **Operating Current:** 120 mA (typical)  
- **Standby Current:** 5 mA (typical)  
- **Package Type:** 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) and Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Descriptions:**
- The IS61LV10248-10T is a high-performance CMOS static RAM designed for applications requiring fast access times and low power consumption.  
- It is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems where high-speed data access is critical.  
- The device supports asynchronous operation with separate control signals for read and write operations.  

### **Features:**
- **High-Speed Performance:** 10 ns access time.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 120 mA (typical)  
  - Standby current: 5 mA (typical)  
- **3.3V Single Power Supply:** Compatible with low-voltage systems.  
- **Fully Static Operation:** No refresh required.  
- **Tri-State Outputs:** Allows direct interfacing with common data buses.  
- **Byte Write Control:** Individual byte write enable signals (UB, LB).  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Ensures easy integration with standard logic.  
- **Industrial Temperature Support:** Available in extended temperature range (-40°C to +85°C).  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed electrical characteristics and timing diagrams, refer to the official ISSI datasheet.

1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM