128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM The IS61C1024L-15J is a 1M x 8-bit (1 Megabit) high-speed CMOS static RAM (SRAM) manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.). Below are its key specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**
- **Organization:** 1M x 8-bit (1,048,576 words x 8 bits)  
- **Access Time:** 15 ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package:** 32-pin PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Pin Count:** 32  
- **I/O Type:** Common I/O (input/output shared)  
- **Standby Current (TTL):** 10 mA (max)  
- **Standby Current (CMOS):** 2 mA (max)  
- **Operating Current:** 100 mA (max)  
### **Descriptions:**
- The IS61C1024L-15J is a high-performance asynchronous SRAM designed for applications requiring fast access times and low power consumption.  
- It uses a fully static memory cell design, eliminating the need for external refresh cycles.  
- The device supports both TTL and CMOS input/output levels.  
- It is commonly used in embedded systems, networking equipment, telecommunications, and industrial applications.  
### **Features:**
- **High-Speed Access:** 15 ns access time for fast read/write operations.  
- **Low Power Consumption:** CMOS standby mode reduces power usage.  
- **Single 5V Power Supply:** Simplifies system design.  
- **Fully Static Operation:** No refresh required.  
- **Tri-State Outputs:** Allows direct interfacing with common bus structures.  
- **Industrial-Standard Pinout:** Compatible with other 1M x 8 SRAMs.  
- **Automatic Power-Down:** When deselected (CE# high), the device enters low-power mode.  
This SRAM is designed for reliability and performance in high-speed computing and data storage applications.