IS45S16100C1-7TLA

512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM The IS45S16100C1-7TLA is a high-speed CMOS synchronous DRAM manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 16Mbit (1M x 16)  
- **Organization:** 1,048,576 words × 16 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed Grade:** -7 (7ns access time)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Refresh Cycles:** 4,096 refresh cycles every 64ms  

### **Descriptions:**
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Interface:** Fully synchronous with a single 3.3V power supply  
- **Burst Length:** Programmable (1, 2, 4, 8, or full page)  
- **CAS Latency:** Programmable (2 or 3 cycles)  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supported  
- **Burst Read/Write Operations:** Enabled for high-speed data transfer  

### **Features:**
- **High-Speed Operation:** 7ns clock cycle time (143MHz)  
- **Pipelined Architecture:** Allows for high-speed data access  
- **Auto Precharge:** Configurable for efficient memory management  
- **Low Power Consumption:** Standby and power-down modes supported  
- **On-Chip Refresh Counter:** Simplifies system design  
- **Compatible with JEDEC Standards:** Follows industry-standard SDRAM specifications  

This SDRAM is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems requiring high-speed memory access.

512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM