1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE The IS41LV16100-50TLI is a 16Mbit (1M x 16) CMOS Dynamic Random Access Memory (DRAM) manufactured by Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI).  

### **Specifications:**  
- **Density:** 16Mbit (1M words × 16 bits)  
- **Organization:** 1,048,576 words × 16 bits  
- **Speed:** 50ns access time  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Package:** 50-pin TSOP II (Thin Small Outline Package)  
- **Refresh Cycles:** 4,096 refresh cycles every 64ms  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:**  
  - Operating current: 90mA (typical)  
  - Standby current: 10mA (typical)  
- **Fully Static Operation:** No clock or refresh required  
- **CAS-before-RAS (CBR) Refresh:** Supports self-refresh mode  
- **Automatic Refresh:** Controlled by /RAS-only cycles  
- **Single 3.3V Power Supply**  
- **TTL-Compatible Inputs and Outputs**  
- **Four Banks Operation:** Supports interleaving for higher performance  
- **Industrial-Grade Options Available**  

This DRAM is commonly used in applications requiring moderate-speed memory with low power consumption, such as embedded systems, networking devices, and industrial electronics.