1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE The IS41C16105-50K is a 16Mbit (1M x 16) CMOS DRAM manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 1M x 16  
- **Density:** 16Mbit  
- **Access Time:** 50 ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Package:** 42-pin SOP (Small Outline Package)  
- **Refresh Cycles:** 1K cycles every 8ms (CAS-before-RAS refresh)  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  

### **Descriptions:**
- The IS41C16105-50K is a high-speed, low-power DRAM designed for applications requiring moderate memory capacity.  
- It supports both fast page mode and static column mode operations.  
- The device is compatible with industry-standard 16-bit memory interfaces.  

### **Features:**
- **Fast Page Mode Operation:** Enhances access speed for sequential reads.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power-sensitive applications.  
- **Single 5V Power Supply:** Simplifies system design.  
- **CAS-before-RAS Refresh:** Reduces external refresh circuitry complexity.  
- **TTL-Compatible Inputs and Outputs:** Ensures compatibility with standard logic levels.  
- **Industry-Standard Pinout:** Facilitates easy replacement in existing designs.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE The IS41C16105-50K is a 16Mbit (1M x 16) CMOS DRAM manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 1M words × 16 bits  
- **Operating Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Access Time:** 50 ns  
- **Refresh Cycles:** 4096 refresh cycles every 64ms  
- **Package Type:** 50-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Descriptions:**  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Interface:** LVTTL-compatible  
- **Refresh Mode:** Auto-refresh and self-refresh supported  
- **Burst Length:** Programmable (1, 2, 4, 8, or full page)  
- **CAS Latency:** Programmable (2 or 3 cycles)  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:** Standby and active power-saving modes  
- **High-Speed Operation:** 50 ns access time  
- **Single 3.3V Power Supply**  
- **Fully Synchronous Operation:** All signals referenced to a positive clock edge  
- **Auto Precharge Option**  
- **Burst Read and Write Operations**  
- **Compatible with JEDEC Standards**  

This DRAM is commonly used in embedded systems, networking devices, and industrial applications requiring moderate-speed memory with low power consumption.